Bonjour à tous,
Vous êtes cordialement invité à ma soutenance orale de thèse qui aura lieu à ST MARTIN D’HERES le mercredi 9 décembre 2009 à 10h.
Vous êtes cordialement invité à ma soutenance orale de thèse qui aura lieu à ST MARTIN D’HERES le mercredi 9 décembre 2009 à 10h.
Le lieu est l’amphithéâtre Jean Besson de l’école PHELMA (ex-ENSEEG) (CF plan ici)
Domaine Universitaire
351 rue de la Chimie
38402 ST MARTIN D’HERES.
Domaine Universitaire
351 rue de la Chimie
38402 ST MARTIN D’HERES.
L’amphithéâtre se situe à gauche dans le hall principal de l’entrée. Accès par le rez-de chaussé avant 10h et par le premier étage après 10h.
Un buffet sera bien-sûr proposé à la fin pour fêter çà !
Faites-passer le message !
En espérant vous voir,
Gaetan RAYMOND
16 rue du Taillefer
38400 Saint Martin d’Hères
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En espérant vous voir,
Gaetan RAYMOND
16 rue du Taillefer
38400 Saint Martin d’Hères
Sujet de thèse :
Etude mécanique des films de nitrure de silicium fortement contraints utilisés pour augmenter les performances des transistors CMOS.
Résumé :
Cette étude porte sur la caractérisation physique, chimique et mécanique de films minces de nitrure de silicium. Ces films sont utilisés pour accroître les performances des transistors en induisant une déformation dans le canal. Pour ce faire les films sont fortement contraints par les conditions de dépôts. Pour améliorer encore plus les performances des transistors, la contrainte du film a été augmentée en utilisant des films multicouches avec traitement plasma. Ce traitement engendre une désorption d’hydrogène permettant la recombinaison de nouvelles liaisons Si-N, conduisant à l’augmentation de la contrainte. Lors de cette première phase de densification, on constate par ailleurs que le module de Young augmente aussi bien dans plan que hors-plan. Ensuite, si le traitement se prolonge, la désorption s’arrête et on constate une deuxième phase au cours de laquelle la porosité du film diminue fortement. Cette diminution semble corrélée à l’accroissement supérieur du module de Young dans le plan par rapport à celui hors-plan, conduisant à une anisotropie du film. On suppose donc que les pores sont de forme colonnaire dans la direction hors-plan.
Etude mécanique des films de nitrure de silicium fortement contraints utilisés pour augmenter les performances des transistors CMOS.
Résumé :
Cette étude porte sur la caractérisation physique, chimique et mécanique de films minces de nitrure de silicium. Ces films sont utilisés pour accroître les performances des transistors en induisant une déformation dans le canal. Pour ce faire les films sont fortement contraints par les conditions de dépôts. Pour améliorer encore plus les performances des transistors, la contrainte du film a été augmentée en utilisant des films multicouches avec traitement plasma. Ce traitement engendre une désorption d’hydrogène permettant la recombinaison de nouvelles liaisons Si-N, conduisant à l’augmentation de la contrainte. Lors de cette première phase de densification, on constate par ailleurs que le module de Young augmente aussi bien dans plan que hors-plan. Ensuite, si le traitement se prolonge, la désorption s’arrête et on constate une deuxième phase au cours de laquelle la porosité du film diminue fortement. Cette diminution semble corrélée à l’accroissement supérieur du module de Young dans le plan par rapport à celui hors-plan, conduisant à une anisotropie du film. On suppose donc que les pores sont de forme colonnaire dans la direction hors-plan.
Gaëtan RAYMOND 